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國家存儲器基地項目芯片生産機台進場安裝

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國家存儲器基地項目芯片生産機台進場安裝

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  武漢国家存储器基地项目迈出重要一步,正式从工程建设转入量产准备阶段。11日,市长万勇在国家存储器基地项目芯片生产机台搬入活动上强调,要以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导,坚决贯彻党中央、国务院和省委省政府决策部署,加快推进国家存储器基地项目建设和技术攻关,让”中国芯“在武漢越做越大、越做越强。
  2016年7月,国家存储器基地项目花落武漢,承担着中国集成电路闪存芯片产业规模化发展”零“的突破、改变我国通用存储器全部依赖进口被动局面的重大使命。去年9月,国家存储器基地项目提前封顶,此次芯片生产机台进场安装后,年内有望产出我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片。
  万勇说,国家存储器基地项目芯片生产机台搬入,是”中国芯“的一大步,也是”新武漢造“的一大步。建设国家存储器基地的过程,是武漢勇担国家使命、推进制造强国的过程,武漢一直在为圆国家存储器基地的美梦而不懈努力。
  事非经历不知难。万勇与现场嘉宾分享了国家存储器基地项目从争取建设、洽谈项目、会商合作,到选址建设、厂房封顶、研发产品等多个重要时刻的所见所感,引发了现场与会人员的强烈共鸣。他说,正是这一路走来的一个个精彩场景,成就了当天机台搬入这一激动人心的时刻,武漢期待今年10月设备点亮投产,期待明年底64层闪存产品产能爬坡量产,期待”中国芯“在全球市场反应良好,期待基地第二、第三工厂尽早开工建设。”中国芯、武漢造“即将成为现实,中国”缺芯少屏“的历史将由此改写,他祝愿”中国芯“在武漢越做越大、越做越强。
  市委副书记、常务副市长陈瑞峰主持活动,市委常委、东湖高新区党工委书记程用文,副市长徐洪兰,东湖高新区管委会主任刘子清,管委会常务副主任陈平,市政府秘书长刘志辉,东湖高新区管委会副主任宋治平、唐超,武漢未来科技城建设管理办公室副主任明铭,东湖综保区建设管理办公室副主任李首文参加活动。
  (來源:長江日報)
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